美国升级对华半导体管制！美国对华半导体行业政策解读来了

根据21世纪经济报道，当地时间12月2日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了出口管制的"强化版"新规，进一步限制中国人工智能和先进半导体的发展。根据当天BIS的公告，新的规则主要包括5个方向：对24种半导体制造设备和3种用于开发或生产半导体的软件工具实施新的管制；对高带宽存储器（HBM）实施新的管制；针对合规和转移问题的新的"红旗警告"（Red flag guidance，相当于强化预警，防止规避出口政策）；在《出口管制条例》(EAR) 实体清单中新增加140个名单并进行14项修改，涵盖中国设备制造商、半导体晶圆厂和投资公司，所有这些实体被认定参与先进集成电路或半导体制造项目的开发和生产；以及几项关键的监管变化，以增强先前管制的有效性。

美国对中实体清单落地，本轮新规管制力度升级，先进制造、封装等领域国产化有望进一步加速，关注先进制造，HBM及先进封装、上游设备/零部件/材料、国产算力等领域国产化和自主可控进程。可关注芯片ETF（159995）及其联接基金（008887/ 008888）、半导体材料ETF(562590)的投资机会。

美国通常在每年10月对进出口管制条例进行审查，2022年和2023年10月曾经两度出台针对中国半导体产业的出口管制条例，此次12月2日公布的新规是在原有管制基础上进行修订，由于大选推迟至今发布。

总体来看，新规和此前两次管制措施相比，虽然新增进入实体清单企业数量庞大，但并未大力升级对整个中国半导体行业的进出口管制。也就是说，虽然此次新规对中国公司的打击面广，但对行业的打击力度没有此前相关措施的影响大。

BIS新规动用FDP规则，管制有所升级，针对EAR中的某些先进的半导体制造设备、超级计算机等进行了规则修改，并且新增了对HBM等的限制、修改了先进DRAMI的定义。实体清单还涵盖了众多国产EDA、半导体制造商、光刻胶厂商、大硅片厂商、功率半导体及ODM厂商和半导体投资机构，从半导体产业链层面全面遏制国内发展，试图削弱我国发展本土半导体生态和先进人工智能的力量。我们认为，随着美国对华常态性打压国内企业已在"去美化"取得一定成效，实体清单的落地有利于我国企业积极增强本土半导体生态，对未来国产算力供需均存在利好，加速提升远期算力国产化率。

新规的影响主要涉及三个方面：

将中国主要半导体设备商纳入实体清单；加大了中国半导体行业获取HBM技术的管制；实施"长臂管辖"，新规升级，对部分公司启用FDPR（外国直接产品规则）第三方国家的公司向部分"实体清单"的公司提供产品也需要获得美国的出口许可。

本次制裁内容与此前媒体报道内容差别不大，市场已有所预期，由于相关企业已有准备，已经提前进行了长期囤货和去美供应链切换，短期实际影响有限，对企业业务连续性不构成显著影响，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。

当前，半导体底层技术的自主可控已形成共识，近几年的国产替代亦取得一定成效，但是在产业链最上游的核心设备及零部件、决定先进制程的光刻机、影响AI芯片升级的核心硬件HBM等领域，依然有较大差距。

而当前白热化的科技制裁，也将使国产替代进程再次提速，自主可控进程迈入新阶。

1）设备方面，若未来制裁限制相关半导体设备出口，利好国内光刻机等半导体核心设备自主可控方向；

2）AI方面此前对华制裁主要针对GPU产品，若本次制裁限制HBM的出口，由于HBM在AI领域有着至关重要作用，目前市场被三星、SK海力士与美光垄断下国产化率极低，短期内或将影响国内人工智能产业配套。

3）未来的限制政策将继续加速晶圆代工往国内转移，加速高端设备、高端封测以及HBM产品开发等产业链发展，半导体有望由"受限"走向"自强"，自主可控有望加速。

半导体各环节国产化，系实现半导体产业链自主可控关键一环。

（1）材料：国产厂商在多类材料的自给能力低，主要为中低端产品，在强技术壁垒的高端材料领域，国产化能力较为薄弱，且材料属于耗材类产品，故国产化更为迫切。根据观研天下数据，2022年硅片国产化率仅为9%，至2024年8英寸硅片国产化率达55%；2022-2024年光掩模由国产化率30%向晶圆厂商自产为主转变；键合丝国产化率由2022年的不足20%提升至30%；目前我国半导体材料国产化仍存在挑战，如12英寸硅片国产化率仅为10%，光刻胶国产化率为10%，电子气体国产化率为15%，是电子化学品国产化率为10%（G3及以上）。

（2）设备：中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，其中在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高，在CMP、热处理、薄膜沉积设备上有所突破，而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备上的国产化程度仍较低。根据沙利文&头豹数据中国大陆半导体设备国产化率稳步提升，刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备CMP抛光设备的国产化率位于10%-30%之间，热处理设备国产化率位于30%-40%之间，去胶机国产化率达到80%以上；光刻、量/检测设备、离子注入设备、涂胶显影设备国产化率仍较低，处于5%以下。

（3）代工：台积电7nm工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P）和7nm EUV（N7+）其中，N7和N7P使用的是DUV光刻技术，而N7+则采用4层EUV光刻技术台积电第一代7nm工艺技术表明可以通过多重曝光技术和浸没式光刻技术来实现7nm节点。（4）EDA：根据全球半导体观察数据，全球EDA市场仍以新思科技、楷登电子、西门子三家巨头为主导，市场集中度高达近70%；国内厂商中华大九天、概伦电子、广立微、芯华章等企业迈入全球EDA市场第二三梯队华大九天模拟全流程整体可支持28nm及以上制程设计，其中电路仿真工具可支持4nm，晶体管级电源完整性分析工具可支持14nm；概伦电子核心制造类能够支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和FinFET、FD-SOI、GAAFET等各类半导体工艺路线，核心设计类支持7nm/5nm/3nm等先进工艺节点和FinFETFD-SOI等各类半导体工艺路线；广立微优势在于成品率提升领域下的软硬件产品全流程覆盖。

先进制程及先进封装等领域国产替代进程预计进一步加速，自主可控需求迫切。

1）在先进制程制造和设备端，实体清单名单覆盖面相对较广，但考虑到国内大多数 Fab/设备公司近年来在设备及零部件去美化、原材料自主供应方面做了较充足准备，预计将抵消一定影响，同时国产化进程有望进一步加速；

2）在 HBM 方面，本次新规涵盖对几乎所有主流 HBM 产品的出口管制，短期对国内 HBM 及上游材料、前后道设备等预计均将产生一定限制，长期自主可控进程更加迫切。