截止2025年年底，日本还有丰田汽车，以及铠侠半导体成为日本出口主力军。

可是进入2026年，由于中国电动车的冲击，日本燃油车在世界各地的市场份额不断缩减，中国电动车正在逐步占据世界市场，日本汽车出口越来越成为"过去式"。

日本闪存半导体过去10年，市场份额不断下降，已经从过去的世界第1，退守世界第4，存在感越来越低。

有日本评论员认为，未来日本能够出口海外的只有日本"养老看护"的经验。虽然，评论有些夸大，但是，也是对现在一种趋势的描述。

高市内阁今年的143万亿日元的预算中，有史以来第一次加大了对日本芯片制造业，以及存储半导体制造业的投入。

因为，日本方面认识到现在已经是日本半导体的最后机会，如果再不进行投资，按照中国存储的强劲冲击力，仅剩的12%市场份额，很快就会完全失去。

经过10年的卧薪尝胆的努力，中国存储企业已经进入世界存储半导体的竞争行列。

其中刚刚上市的中国存储巨头长鑫技术的发展速度，甚至被国外同行称为"长鑫冲击"。

2026年9月20日，在世界制造大会上，长鑫科技宣布第5代技术平台（G5）已经正式量产，并且向公众展出了该平台的新品。

据透露，长鑫的第5代技术平台采用四重曝光技术，把内存阵列的有源区半间距做到了11.95纳米，已经无限接近了韩国两大竞争对手的技术水平。

同时，这个工艺产量获得很大的提升，每张晶圆的裸片产出量要比上一代平台提升了50%。

并且，结构更加优化，存储电容的深宽比，达到45:1，核心功能区高度降至6762纳米，能效与成本控制更加合理。新产品主要用于中高端智能手机，便携式消费电子产品。

其实这个消息已经是第二次冲击。第一次冲击是在2026年8月29日，长鑫科技宣布其"LPDDR6"产品已经开始量产。

在2026年9月开始销售的中国高端智能手机中将采用这款存储芯片。

过去一年，中国智能手机制造商一直面对各种主要产品的涨价潮。很多零部件由于在中国国内有供应链，受到的涨价影响并不大。

但是，由于存储芯片一直是韩国与美国三家企业占据95%的市场份额，所以，这次涨价的决定权都掌握在这三家手中。

2025年年初，韩国企业放出风声，存储芯片涨价最起码延续10年，价格要涨200%，如果现在不买，将来若干年就没有货源供应。

因此造成了世界性的存储芯片的涨价大潮。就在全世界都在关注韩国与美国企业疯狂涨价的同时，来自中国的消息也吸引了一部分人关注。

经过近10年的"摸爬"，中国存储开始进入"发力"阶段，如已经连续亏损10年的长鑫科技，在2025年下半年开始，扭亏为盈，到了2026年第2季度，已经还清了过去10年的欠债。

同时，长鑫科技在存储市场的份额从过去的2-3%左右，一路向上，到了2026年6月，市场份额已经达到10%，稳居世界第4位。

并且，在2026年全世界第一个实现了"LPDDR6" 的商业化生产，这是中国企业第一次实现高规格存储芯片的量产。

笔者手中的数据，"LPDDR6"在数据传送中显示出极高的优越性，最高速度可以达到12800Mbps，单一的芯片最大容量可以达到16GB。

数据的传送已经明显超过了世界通用的"LPDDR5X"，并且"LPDDR6"是中国企业生产，在韩国以及美国企业的眼中，利润都要流到中国人的"腰包"。

过去，中国智能手机企业因为没有货，只能任凭韩国企业提出的价格，如果拒绝就没有货可以拿。

现在有了长鑫科技的"LPDDR6"可以选择，结果就不言而喻了。

目前全球的人工智能中心，数据中心的建造，带动了存储芯片价格的飞速上涨，在韩国与美国企业的眼中，如果没有长鑫这个"搅局者"，市场价格的就是这三家企业任意决定。

而长鑫科技的异军突起，不仅打破了韩国与美国企业对市场的垄断，并且，长鑫科技在技术上的进步，让这些对手感到了威胁。

由于美国方面的"小院高墙"的对华芯片技术封锁，对于中国芯片，储存芯片的发展产生了极大影响。

包括，长江存存，长鑫科技在内，都是再这样的环境中艰难发展。

2016年 回国创业的朱一明博士与合肥国资合作投资，成立生产存储芯片的长鑫科技。

由于高科技企业需要投入大量的先行资金，在生产工艺，生产线安定为止，需要一直投入大量的资金。

曾经的日本东芝半导体，就是因为不愿意大量投入资金，在技术层面不断落后，市场份额被不断夺走。

最终不得不宣布破产重组，因为两次获得政府基金的资助才最终没有破产，成为今天日本唯一还在世界上占有一席之地的"铠侠半导体"。

很多人被问起有什么遗憾的地方，东芝半导体高层就说，日本人在高科技方面的投资不愿意冒险大量投入，所以丧失了绝佳的机会。

合肥国资也是面临与东芝公司一样的困局，看不到尽头的赤字，一直需要追加的投资。合肥国资在长鑫科技的投资比例不断增加，甚至达到了75%。（135亿人民币）

而当年投资长鑫科技2亿人民币的某房地产公司，如果再坚持半年，就可以获得数百亿的回报，但是就在即将看到黎明的前夜，这家公司把股份转让给合肥国资。

长鑫科技前期投入的巨资中，就有获得德国存储公司专利的投入。欧美方面，在中国企业成功以后，会构筑强大的"专利石墙"，阻碍中国企业的前行。

如福建晋华就是由于美光的专利纠纷，在最好的发展时期，被白白耽误了数年的时间，失去了发展的机遇。

2019年，长鑫科技开始生产DDR4，到了2020年进入每月4万枚的量产水准，进入2025年达到每月25万枚的规模。

由于存储价格飞涨带来的机遇，长鑫科技迅速获得超过100亿美元利润，并且毫不吝惜，扩大产能，并且大量对研发投入。

由于，美国对中国半导体出口限制，成就了中国国产化的动力。现在，中国半导体生产设备的国产化率从不到10%，已经接近40%。

美国的对华半导体限制，造成大量的中国工程师从世界各大半导体设备公司离开，这些工程师回到中国，主导了中国半导体技术发展。

就算长鑫科技可以生产"LPDDR6"，

现阶段韩国方面还是与韩国三星以及SK技术上还有明显差距。并且，在高宽带存储HBM的差距尤为明显。

韩国企业已经生产HBM4，甚至先进的高宽带存储，而中国现在还只能生产HBM3。"代差"相差的时间，甚至有4年以上的时间。

但是，实际的情况远远要比韩国方面"乐观"估计严重。中国正在利用发展黄金期，迅速缩小与韩国企业的技术差距。

韩国半导体协会最新消息，中国与韩国在半导体技术的差距，HBM上不是4年，而是缩短到3（2.5年）年时间，DRAM的差距不足2年的时间，NAND的差距已经在几个月。

一年前，韩国方面还认为相差5年以上，现在一下子缩短到3年时间，也就是1代的差距。

其中长鑫科技不仅要在主业DRAM上挑战韩国的技术优势，也要在HBM上缩短与韩国企业的技术差距。

已经传出长鑫科技正在批量测试HBM3E，如果顺利，今年年底，或者明年，就可以量产，并且投入市场。这就是相差三星，SK，仅1年的"代差"的产品。

中国方面成功的根源就在于使用了长江存储的"堆叠"技术，后工程技术，"异种结合"技术，虽然没有先进的芯片制造机械，但可以在后工序弥补。

当韩国，美国公司都在集中生产高收益的HBM时，长鑫科技却在稳步前行，利用DRAM获得充足资金，增加下一代半导体设备，以及对HBM的开发投入。

由于世界的计算机以及手机对DDR5等存储的需求量急剧增加，价格也在飞快上涨。

长鑫科技的DRAM对市场份额的扩大也在迅猛发展中。2026年6月的统计，长鑫科技已经占据10%的市场份额。是2025年的2倍以上增加。

长鑫科技的NAND的市场份额从2025年的9%，上升到2026年9月的14%。并且长鑫已经发出声音，到2027年，要成为世界第一。

现在就连苹果手机都在测试长鑫的存储芯片，因为韩国企业开出的涨价条件太苛刻。

被美国制裁，中国在芯片制造上缺乏先进的光刻机，困难远远高于韩国企业。但是，中国在存储行业的发展韧劲，超出了韩国企业的预想。

长鑫科技，长江存储这样的高科技企业能够崛起。是因为，背后有中国市场的支持，有中国国内的需求，并且中国能够集中力量干大事。